半導体集積回路関連施設
本学の半導体集積回路関連施設は、固体機能デバイス研究施設(1994年〜)、ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(VBL, 2003年 〜)、IRES²-1、IRES²-4で構成される、延べ2,000m²の半導体デバイスの統合型研究開発施設です。φ4インチウェハまでの半導体(LSI,センサ,MEMS,化合物半導体)デバイスについて、設計・製作・評価までを一貫して行うことが可能で、他の大学では類を見ない施設となっています。また、クリーンルーム内の全設備は、学内外問わず、所定の利用講習を受講することで、利用者自身が操作・利用することが可能です。
ご利用方法については、豊橋技術科学大学ARIM webサイトをご確認ください。
IRES²-1(融合デバイスプロセス室)
IRES² 1Fの330m²からなるクリーンルーム(クラス10,000)では、化合物半導体やシリコン、カーボンナノ材料など様々な材料・機能を持つ融合デバイスを試作でき、窒化物半導体LEDやトランジスタ、センサなど単体デバイスの他、MEMSチップを作製できます。
主な設備
- カーボンナノ材料化学気相堆積装置
- 4〜6インチ対応窒化物半導体デバイス作製装置群
- 電子ビーム蒸着装置
- 化学処理ドラフトチャンバー
- 触針型表面微細構造評価装置



IRES²-2(LSI工場)
主な設備
- LSI・MEMS解析、設計CADシステム
- 微細パターン描画装置
- 4インチ対応CMOS製造設備
- 4インチ対応MEMS製造・加工設備
- パッケージング設備
- 観察装置
- 各種デバイス評価装置
i線ステッパ
Deep-RIE
収束イオンビーム加工装置
温度可変プローバ
電子線描画装置
IRES²-4(LSI棟)
アナログ製品レベルのウェーハ8 inch加工が可能
イオン注入ゾーン
イオン注入
微細加工・金属薄膜形成処理ゾーン
スパッタ
微細加工・金属薄膜形成処理ゾーン
ICP-RIE
薄膜形成処理ゾーン
PE-CVD
露光処理ゾーン
コータ・デベロッパ
マスクレス露光機
酸化・熱処理ゾーン
酸化炉
前処理・廃液処理ゾーン
洗浄ドラフタ
IRES²-1共同利用実験室
顕微ラマン分光装置、電子顕微鏡など観察評価装置が設置されており、クリーンルーム等で製作したデバイスの評価が可能です。
主な設備
- 高速イメージ顕微ラマン分光システム (日本分光 NSR-7100)
- 集束イオンビーム加工装置 (日立ハイテク NB-5000)
- 走査電子顕微鏡 (日立ハイテク S-3000N)



IRES²-1バイオ実験室
バイオ実験室はP1レベル実験室として設計されており、細胞培養等の処理操作が可能です。また、共焦点顕微鏡やイオンイメージセンサシステムなどのバイオ実験向けの観察装置も設置されています。
主な設備
- 共焦点顕微鏡 (ニコン A1Rsi-TY1)
- イオンイメージセンサシステム

IRES²-3 ライフサイエンスラボ
インキュベーション施設3Fに遺伝子改変マウスのクリーンな環境( S P F )での飼育、ニホンザルの飼育環境が整られており、急性期、長期慢性期での電気生理計測、光計測が可能です。IRES²で開発されたデバイスは生理学実験に応用され、結果は速やかにデバイス開発にフィードバックされます。研究チームが一体となって技術開発、科学研究に取り組むことができます。
主な設備
- マルチチャンネル神経生理学システム TDT-RZ2, RZ5
- リニアスライサー DSK PRO7
- デジタルレントゲン撮影装置


IRES²-5 オープンラボ棟
- 企業向け個室研究室12部屋と共創スペース設置
- LSI棟と連動し、アイディア創出から技術相談、実証までを可能とする共創環境

