融合デバイスプロセス室
IRES² 1Fの330m²からなるクリーンルーム(クラス10,000)では、化合物半導体やシリコン、カーボンナノ材料など様々な材料・機能を持つ融合デバイスを試作でき、窒化物半導体LEDやトランジスタ、センサなど単体デバイスの他、MEMSチップを作製できます。
主な設備
- カーボンナノ材料化学気相堆積装置
- 4〜6インチ対応窒化物半導体デバイス作製装置群
- 電子ビーム蒸着装置
- 化学処理ドラフトチャンバー
- 触針型表面微細構造評価装置
IRES²共同利用実験室
顕微ラマン分光装置、電子顕微鏡など観察評価装置が設置されており、クリーンルーム等で製作したデバイスの評価が可能です。
主な設備
- 高速イメージ顕微ラマン分光システム (日本分光 NSR-7100)
- 集束イオンビーム加工装置 (日立ハイテク NB-5000)
- 走査電子顕微鏡 (日立ハイテク S-3000N)
IRES²バイオ実験室
バイオ実験室はP1レベル実験室として設計されており、細胞培養等の処理操作が可能です。また、共焦点顕微鏡やイオンイメージセンサシステムなどのバイオ実験向けの観察装置も設置されています。
主な設備
- 共焦点顕微鏡 (ニコン A1Rsi-TY1)
- イオンイメージセンサシステム
LSI工場
LSI工場は固体機能デバイス研究施設(1994年〜)にベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(VBL, 2003年 〜)を接続した延べ1,300m²からなる半導体デバイスの統合型研究開発施設です。φ4インチウェハまでの半導体(LSI,センサ,MEMS,化合物半導体)デバイスについて設計・製作・評価までを一貫して行うことが可能で、他の大学では類を見ない施設となっています。CR内の全設備は学内外問わず所定の利用講習を受講することで利用者自ら操作し使用することが可能です。
主な設備
- LSI・MEMS解析、設計CADシステム
- 微細パターン描画装置
- 4インチ対応CMOS製造設備
- 4インチ対応MEMS製造・加工設備
- パッケージング設備
- 観察装置
- 各種デバイス評価装置
i線ステッパ
Deep-RIE
イオン注入装置
収束イオンビーム加工装置
温度可変プローバ
電子線描画装置
VBL共同利用実験室
化合物半導体の成長装置およびそれらの電気的、光学的特性を評価するための設備が設置されています。
主な設備
- 蛍光寿命測定装置
- 分光エリプソ装置
- 可視紫外分光光度計
IRES²-3 ライフサイエンスラボ
インキュベーション施設3Fに遺伝子改変マウスのクリーンな環境( S P F )での飼育、ニホンザルの飼育環境が整られており、急性期、長期慢性期での電気生理計測、光計測が可能です。IRES²で開発されたデバイスは生理学実験に応用され、結果は速やかにデバイス開発にフィードバックされます。研究チームが一体となって技術開発、科学研究に取り組むことができます。
主な設備
- マルチチャンネル神経生理学システム TDT-RZ2, RZ5
- リニアスライサー DSK PRO7
- デジタルレントゲン撮影装置
