本研究所 LSI工場 技術支援の飛沢 健 高度専門員（本学 研究推進課 ）が、科学技術分野の文部科学大臣表彰 研究支援賞を受賞しました。
文部科学省では、科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めた者について、その功績を讃えることにより、科学技術に携わる者の意欲の向上を図り、もって我が国の科学技術水準の向上に寄与することを目的とする科学技術分野の文部科学大臣表彰を行っています。「研究支援賞」は、研究現場において高度で専門的な技術的貢献を通じ、研究開発の推進に寄与する活動を行った技術職員等を顕彰するべく、文部科学大臣表彰の一部門として令和２年度に創設されたものです。

 

主催者：令和５年度科学技術分野の文部科学大臣表彰
受賞名：研究支援賞
受賞日：2023年4月7日
業績名：新規半導体製作環境構築による先端デバイス研究への貢献

　　　　　　　　　　　＜受賞コメント＞
　このたび文部科学大臣表彰 研究支援賞を賜り、たいへん光栄に思います。支えてくださった皆様に、心から感謝申し上げます。
　本学は、半導体試作における設計・製作・評価までを一貫して行うことのできるLSI 工場を有していますが、試作に必要な設備機器と共に、高度な専門知識を有し、半導体製作の技術支援ができる人材が教育・研究の現場から求められていました。私は微細加工、薄膜成膜などの先端の要素技術およびそれらの組み合わせを最適化したインテグレーション技術を検討、新規半導体製作環境を構築し、学生や研究者の要望に応じたオーダーメイド支援を行いました。その結果、学生や研究者の自由な発想から新たな半導体先端デバイスが創造され、多数の学術論文や学会発表に繋がり、当該研究の発展に貢献できた点をご評価いただいたと考えております。
　これからも、次世代半導体デバイス研究の発展に少しでも貢献できるように、より一層精進して参ります。

 

 

受賞サイト：　https://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/mext_01224.html