エレクトロニクス先端融合研究所 LSI工場では、高専との連携による半導体技術者教育を推進しています。今回、この取り組みの一環として下記のとおり熊本高等専門学校の教員、学生にお越しいただき、講演会を開催いたします。

日時　　　　：5月25日(水)　14:00～14:50
会場　　　　：ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3F セミナー室
参加申し込み：不要
参加費　　　：無料

 

【プログラム】

講演I：「絶縁膜上におけるIV族半導体結晶の低温形成」
 　　　　熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科　准教授　角田 功 氏 

　講演概要：柔軟性に富んだ基板上に高移動度の薄膜トランジスタや高効率の光デバイスを集積したデバイスを実現するには、低融点絶　縁基板上に高品質な半導体結晶を低温で形成する技術が必要になります。本研究室では、半導体結晶薄膜を低温で形成するためのカギとなる技術が金属誘起結晶化技術にあると考え、研究に取り組んでいます。当日は、金属誘起結晶化技術に熱以外のエネルギーを組み合わせた新たな結晶成長手法についてご紹介します。

講演II：「非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長」
　　　　熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科　専攻科2年　浅野 華奈子 氏

 

＜お問い合わせ先＞
　豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所
　Tel/Fax 　　： 0532-44-6974
　問い合わせ先： office ]at[ eiiris.tut.ac.jp