支援内容
💡 設計
- CMOS集積回路と高付加価値機能（センサ、フォトニクスなど）の集積化のための設計
- 不純物プロファイル、動作ポテンシャルの設計・解析（TCAD, Spectra）
🔬 試作
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- 集積回路試作（φ4インチウェーハまで。ゲート長：1.5μm、5μmに対応）
- CMOS集積回路
- CMOS/JFET混載集積回路
- 集積回路とMEMS/センサ、機能性材料との集積化デバイス
- 電位検出型マルチモーダルセンサアレイ（光、イオン、圧力など）
- デバイス試作
- GaN、GaN/Siデバイス（μLED、μLEDアレイ）
- 化合物半導体を用いた光デバイス（LED、太陽電池）
- 光導波路（Si, SiGe加工）
- MEMS、流路、μTASデバイス
- パッケージング（ウェーハダイシング、ボンディング）
🎓 教育プログラム
- 社会人、学生向けの集積回路技術講座（n-MOS集積回路プロセスから評価まで：5日間）
🧪 評価
- ウェーハプロセス評価（薄膜膜厚測定、段差測定、CD測定、観察）
- 電気特性測定・評価（MOSFET、CMOS集積回路）
支援形態
以下の形態でご支援いたします。
| 支援形態 | 内容 |
|---|---|
| 技術相談 | 技術的な問題解決について、スタッフが様々な相談に対応いたします。 |
| 機器利用 | 操作技術を有する利用者が自ら機器を操作し、実験を行います。 |
| 技術補助 | 装置の操作方法などについて、利用者がスタッフの指導・補助を受けながら利用します。 |
| 技術代行 | 利用者からの依頼に基づき、各種技術支援を代行いたします。 |
| 共同研究 | 利用者と本学研究者が共同で研究を行い、成果を発信します。 |
利用報告
利用報告書は、｢マテリアル先端リサーチインフラ｣のメインホームページからご覧ください。
メインホーム：https://nanonet.go.jp/